DDR5 cinesi sempre più veloci: i chip CXMT raggiungono 7.600 MT/s e puntano agli 8.400 MT/s

La memoria DDR5 prodotta da CXMT (ChangXin Memory Technologies) continua a far notizia e, almeno sul piano tecnico, sembra avvicinarsi sempre di più ai grandi protagonisti del settore. Dopo essere stata inizialmente confinata a prodotti entry-level, la DRAM dell’azienda cinese sta infatti iniziando a raggiungere frequenze che fino a poco tempo fa erano appannaggio esclusivo dei chip Samsung, SK hynix e Micron.

Le ultime informazioni parlano infatti di nuovi kit DDR5 da 7.200 MT/s e 7.600 MT/s, ma soprattutto di test che hanno già dimostrato come questi chip siano in grado di superare stabilmente gli 8.000 MT/s sulle più recenti piattaforme AMD; si tratta di un’evoluzione che conferma come CXMT stia rapidamente colmando il divario tecnologico con i principali produttori di memoria.

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CXMT porta le DDR5 fino a 7.600 MT/s e guarda già oltre gli 8.000 MT/s

Il salto generazionale rispetto ai primi moduli basati su memoria CXMT è piuttosto evidente. Se le precedenti soluzioni si fermavano a circa 6.000 MT/s, la nuova generazione arriva ufficialmente a 7.200 MT/s e 7.600 MT/s, mantenendo latenze CL 38 con una tensione operativa di 1,4 volt.

I nuovi moduli saranno proposti inizialmente in configurazioni 32 GB (2x 16 GB) e sfrutteranno i più recenti chip DDR5 da 16 Gb prodotti direttamente da CXMT. I primi dati emersi mostrano inoltre la presenza di moduli identificati come DDR5-7600 già riconosciuti dai software di diagnostica, segno che la piattaforma hardware è ormai pronta per la commercializzazione.

Il vero dato interessante però arriva dai test di overclock effettuati su piattaforma AMD. Le più recenti schede madri AM5 stanno infatti dimostrando un supporto decisamente più maturo per queste memorie. In particolare, alcuni produttori come ASUS ed MSI hanno mostrato moduli CXMT funzionare stabilmente oltre gli 8.000 MT/s, arrivando in alcuni casi fino a 8.200 MT/s e perfino 8.400 MT/s con kit opportunamente selezionati.

Ovviamente non si tratta ancora di prodotti definitivi in procinto di arrivare sul mercato, ma il risultato evidenzia come il margine di crescita di questa memoria sia molto più elevato rispetto a quanto lasciavano immaginare le prime generazioni.

I chip di memoria cinese riducono il gap con i grandi produttori

L’evoluzione di CXMT non riguarda soltanto le frequenze operative, decisamente allettanti a questo punto. Uno degli aspetti più interessanti è la progressiva maturazione dell’intero ecosistema DDR5; i nuovi BIOS delle schede madri con chipset AMD stanno introducendo un supporto sempre più completo per questi chip, consentendo di raggiungere frequenze elevate anche su piattaforme consumer.

I test più recenti hanno evidenziato risultati a dir poco interessanti:

• kit DDR5 da 7.200 MT/s portati stabilmente a 8.000 MT/s
• moduli DDR5 7.600 MT/s overcloccati fino a 8.200 MT/s
• kit da 48 GB (2x 24 GB) capaci di raggiungere 8.400 MT/s mantenendo la stabilità
• supporto fino a 7.200 MT/s anche su schede madri dotate di quattro slot DIMM

Un altro elemento importante riguarda l’utilizzo dei nuovi chip DDR5 GDDR da 24 Gb, che permettono di realizzare moduli da 24 GB senza modificare il numero di chip installati sul PCB, offrendo di conseguenza configurazioni da 48 GB particolarmente adatti per workstation e sistemi dedicati all’intelligenza artificiale.

Naturalmente è ancora presto per parlare di un vero sorpasso nei confronti di Samsung, SK hynix o Micron, che restano il punto di riferimento del settore sia per prestazioni sia per diffusione. Tuttavia il ritmo di sviluppo di CXMT è evidente e la crescita registrata negli ultimi mesi lascia intuire che il produttore cinese possa diventare un concorrente sempre più credibile anche nel segmento enthusiast.

Per il momento non sono ancora stati comunicati prezzi o una data ufficiale di disponibilità dei nuovi kit DDR5 basati su questi chip, ma il fatto che sempre più produttori e partner hardware stiano validando ufficialmente la piattaforma rappresenta un segnale importante sul futuro della memoria DRAM cinese.