A neanche 24 ore dalla presentazione ufficiale, in rete sono emersi i primi test benchmark relativi ai nuovi iPhone XR e iPhone Xs Max (Geekbench), due dei nuovi modelli di casa Apple. Si è trattato di un’ottima occasione per verificare la bontà del nuovo A12 Bionic che, secondo Apple, è il SoC più potente mai integrato in uno smartphone per via della sua produzione a 7 nm (ogni transistor ha una dimensione di 7 nanometri).
A differenza di quanto detto da Apple, i miglioramenti rispetto al chip A11 Bionic dell’anno scorso ci sono ma non sono elevatissimi, soprattutto nel test multi core (iPhone X totalizza intorno ai 4055 punti in single core e 10375 in multi core).
Come potete vedere, il valore del singole core (presumibilmente uno dei due ad alta potenza) si attesta intorno ai 4750 – 4800 punti mentre quando combinati tutti e sei (il chip A12 Bionic ha a disposizione una CPU era core) viene generata una potenza calcolabile fra 9300 – 10000 punti.
Oltre però alle performance del chip A12 Bionic, i benchmark ci hanno rivelato la quantità di memoria RAM presente in ognuno dei due modelli, cosa che Apple, com’è solita fare durante le presentazione, ha evitato di citare. Dai test quindi abbiamo appreso che:
- iPhone Xs Max (e presumibilmente anche iPhone Xs) ha a bordo 4 GB di memoria RAM
- iPhone XR ha a bordo 3 GB di memoria RAM
Ricordiamo che l’iPhone X dell’anno scorso ha a disposizione 3 GB di RAM, per cui nei due modelli top di gamma vi è stato un upgrade del 25%.
🛍 Iscriviti gratis ai migliori gruppi Telegram dedicati alle Offerte Tech e alle Offerte Casa 🔥