Il nodo produttivo a 2 nm di Rapidus compie un altro passo verso la produzione di massa

Rapidus Corporation, produttore giapponese di semiconduttori avanzati fondato nel 2022 ha annunciato il raggiungimento di un traguardo significativo nella sua fonderia IIM-1 (Innovative Integration for Manufacturing 1).

L’azienda ha annunciato di aver avviato la prototipazione della struttura del suo transistor GAA (gate-all-around) a 2 nm, ulteriore passo verso la produzione di massa prevista nel 2027.

Rapidus annuncia un importante traguardo legato al suo nodo a 2 nm

Rapidus è una società giapponese molto “giovane”, fondata il 10 agosto 2022 con l’obiettivo di riportare il Giappone all’avanguardia nella produzione di semiconduttori avanzati, con un focus particolare verso i chip a 2 nm.

L’azienda è supportata dal governo giapponese e da un consorzio di grandi aziende nipponiche (come Toyota, Sony e SoftBank) e punta ad aviare la produzione di massa di questi chip entro il 2027, forte di collaborazioni con partner internazionali come IBM e imec per il raggiungimento dei suoi obiettivi.

A qualche mese di distanza dall’avvio della produzione pilota, Rapidus ha tenuto nella giornata di ieri una conferenza stampa per annunciare l’avvio della prototipazione della struttura del suo transistor GAA da 2 nm presso la fonderia proprietaria IIM-1.

L’importanza della IIM-1

Proprio la fonderia IIM-1 di Rapidus è stata fondamentale nel raggiungimento di questo traguardo. Essa punta a rappresentare una visione diversa rispetto al modello tradizionale di fonderia, dato che l’azienda sta reinventando il modo in cui le fabbriche di semiconduttori si apprecciano alle fasi di pensiero, apprendimento, adattamento e ottimizzazione dei processi in tempo reale.

In meno di tre anni, l’azienda è riuscita a raggiungere tutti i traguardi prefissati a partire dalla posa della prima pietra a settembre 2023, fino all’annuncio odierno della prototipazione dei transistor GAA da 2 nm e del raggiungimento dei livelli sperati nelle caratteristiche elettriche.

Metodi e tecnologie all’avanguardia

Rapidus ha sfruttato metodi e tecnologie all’avanguardia, come la elaborazione front-end interamente su singolo wafer l’azienda ha potuto seguire, ispezionare e apportare modifiche a un singolo wafer; qualora i riscontri fossero stati positivi, i processi sarebbero stati replicati ai wafer successivi. Un ruolo importante è stato giocato dall’intelligenza artificiale che, addestrata sui vari dati acquisiti dal singolo wafer, ha potuto migliorare la produzione e aumentare la resa.

È stata poi utilizzata la litografia ultravioletta estrema (LUV), fondamentale per la formazione della struttura GAA da 2 nm. Rapidus è stata la prima azienda nipponica ad aver installato macchinari EUV avanzati e i primi risultati sono giunti già dopo tre mesi.

I prossimi step

Rapidus sta sviluppando un Process Development Kit (PDK) compatibile con il processo produttivo a 2 nm della sua fonderia IIM-1 e lo renderà disponibile ai clienti più importanti entro il primo trimestre del 2026.

Parallelamente, l’azienda sta preparando un ambiente di sviluppo che consentirà ai clienti stessi di sviluppare i propri prototipi basati su questo avanzato processo produttivo. Tutti questi step sembrano essere “in linea” con la previsione dell’avvio della produzione di massa che dovrebbe avvenire nel 2027.