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Samsung annuncia le memorie DDR4 prodotte col processo a 10nm di 3° gen

Samsung memorie DDR4 10nm

Nonostante Samsung sia maggiormente conosciuta per i suoi prodotti consumer, smartphone e Smart TV in primis, la maggior parte delle sue entrate provengono dalle suo operazioni B2B di fornitura di display, chip e supporto tecnico. A questo proposito, vi segnaliamo che Samsung ha appena annunciato le prime memorie DDR4 prodotte col processo a 10nm di 3° gen.

In particolare, si tratta di memorie DDR4 a 8 Gbit con processo produttivo a 10 nanometri di terza generazione (1z-nm). In termini di prestazioni, grazie al nuovo processo produttivo si ottiene oltre il 20% in più di rese rispetto alla precedente versione 1y-nm.

Al momento Samsung ha solo annunciato i nuovi chip, mentre per la produzione di massa si dovrà attendere la seconda parte del 2019. Ciò significa che i primi prodotti per PC, server e potenzialmente per console di nuova generazione arriveranno solo nel 2020.

Samsung si aspetta che la produzione 1D-nm delle memorie DDR4 spianerà la strada per un rapido arrivo delle interfacce DRAM di prossima generazione come DDR5, LPDDR5 e GDDR6. È interessante notare che Samsung ha sviluppato questo processo di produzione di terza generazione solo 16 mesi dopo aver iniziato a produrre in serie la 2-gen 10-nm-class (1y-nm) da 8Gb DDR4.

In soli 16 mesi dall’inizio della produzione in volumi di memoria DDR4 da 8 Gb con il processo a 10 nanometri di seconda generazione (1y-nm), lo sviluppo di DDR4 da 8 Gb a 1z-nm senza usare un processo Extreme Ultra-Violet (EUV) ci spinge ulteriormente verso i limiti dello scaling della memoria DRAM”, ha sottolineato il colosso coreano dell’elettronica.

Fonte: Samsung

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